El disco duro con acceso a la billetera de Bitcoin está valorado actualmente en unos 647 millones de dólares, algo más de 595 millones de euros al cambio. Howells no se rinde y ha demandado al ayuntamiento de Newport, en el sur de Gales, por entorpecer su búsqueda durante años.

El consistorio no ha querido estar vinculado con la búsqueda. El hombre pidió permiso para rebuscar en el vertedero municipal, incluso llegó a ofrecer el 25% del valor de sus Bitcoins como recompensa a las autoridades de la ciudad de Newport. 

Desde el ayuntamiento aseguran que el disco duro podría estar enterrado a unos 15 metros de profundidad bajo toneladas de basura, sería como buscar una aguja en un pajar. Ni siquiera ellos tienen licencia para buscar entre toneladas de residuos, solo almacenarlos.

Ahora ha demandado al ayuntamiento de Newport y les acusa de haber perdido su disco duro. El Bitcoin (BTC) ya valía casi un millón de euros en 2013 y las autoridades de la ciudad no se quieren hacer cargo de la decisión del hombre de tirarlo a la basura hace más de 10 años. 

James Howells sigue buscando el disco duro con sus Bitcoins

El valor del Bitcoin se ha multiplicado desde 2013 y está dispuesto a todo para encontrar su disco duro. El hombre lleva más de una década intentando convencer al gobierno local para que le deje buscarlo en el vertedero, incluso ha contratado un equipo de excavación para mover las 100 toneladas de basura bajo las que se encuentra su memoria.

Si Howells consiguiese recuperar el disco duro, podría haber una posibilidad de un 80% de que se pudiese leer. El británico le daría cerca de 60 millones de euros al ayuntamiento de Newport, pero el portavoz ha asegurado en un comunicado que se niegan debido a los problemas medioambientales que provocaría rebuscar entre más de una década de basura.

“El consejo le ha dicho al Sr. Howells en múltiples ocasiones que la excavación no es posible según nuestro permiso ambiental y que un trabajo de esa naturaleza tendría un enorme impacto ambiental negativo en el área circundante. El consejo es el único organismo autorizado para realizar operaciones en el sitio”, según el portavoz del ayuntamiento.

El proceso no era tan fácil como parecía. La excavación tendría un coste de 13 millones de dólares y tardaría entre 18 y 36 meses en encontrar el disco duro con las criptomonedas, si finalmente lo consiguiesen. El propietario tendría que esperar otro año para restaurar la memoria flash y que se pudiese leer sin que su contenido sufra daños.

James Howells ha asegurado que su intención original no era denunciar al ayuntamiento de Newport, solo quería presionarles para que acelerasen el proceso. En contra de lo que esperaba el hombre, la situación vuelve al punto de partida.

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La BiCS8 es el resultado de la colaboración entre WD y Kioxia (antigua Toshiba Memory). Ambas empresas controlan un tercio de la producción mundial de flash NAND. 

La octava generación de la BiCS tiene un 50% más de densidad de memoria en comparación con el modelo anterior. Esta memoria también es un 50% más rápida que las de otras marcas de la misma generación. Esto se traduce en una mejor transferencia de datos y un mayor rendimiento:

• Un 12% más de densidad de capa gracias a un mayor aprovechamiento del espacio físico dentro del chip.
• Un 30% más de ancho de banda para una escritura de datos más rápida.
• Un 21% más de latencia de lectura para la recuperación de los datos de forma más rápida.

El tamaño de la BiCS8 también ha supuesto una revolución en el mercado. Western Digital ha comparado esta flash NAND con una tuerca en su ceremonia de presentación: la BiCS se ha terminado imponiendo.

La memoria flash de WD tiene una capacidad de almacenamiento de 2 billones de bits. Este modelo sigue la tendencia del mercado con sistemas cada vez más pequeños sin sacrificar el rendimiento.

El objetivo de las SSD del futuro es conseguir llegar a las 2TB de almacenamiento con un solo chip. Las empresas están trabajando en ello y han conseguido grandes avances con capacidades antes inimaginables. Las marcas sueñan con superar los 10TB en los próximos años.

Los fabricantes de flash NAND han conseguido reducir al máximo el coste de fabricación, lo que se termina reflejando en el precio de salida al mercado de los modelos. Cada vez más centros de datos pueden acceder a ellas.

La BiCS8 2Tb QLC aún tiene un largo camino por delante

Western Digital no ha ofrecido más información acerca de su nueva flash NAND, pero los analistas empiezan a hablar de la posible creación de nuevas aplicaciones para el manejo de datos, recoge GizChina. 

Por el momento, WD debe convencer a los fabricantes de que merece la pena invertir en esta tecnología. La empresa tendrá que asegurar que la resistencia de la BiCS8 2Tb QLC cubre con las expectativas de los centros de datos.

El rendimiento en la lectura ha mejorado un 21% respecto a la anterior generación, pero sigue siendo más lenta en comparación con otras opciones del mercado. 

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Pero, ¿alguna vez te has detenido a analizar los números, pegatinas y logos en la parte frontal de tu tarjeta? Si no lo has hecho, no te preocupes, en este artículo te explicamos cómo interpretar toda esa información.

Las tarjetas de memoria son medios de almacenamiento pequeños y portátiles que se utilizan en una amplia gama de dispositivos, como cámaras digitales, móviles, consolas de juegos portátiles y ordenadores. 

Son especialmente útiles porque facilitan el traslado de datos de un dispositivo a otro. Además, son memorias no volátiles, lo que significa que conservan la información incluso cuando no están conectadas a una fuente de alimentación.

A diferencia de la memoria RAM, que borra los datos al apagar el dispositivo, las tarjetas de memoria conservan la información almacenada en ellas, incluso después de retirarlas del equipo Esta característica las convierte en una solución ideal para el almacenamiento a largo plazo.

Logos y números en las tarjetas de memoria: ¿Qué significan?

Si examinas cuidadosamente tu tarjeta de memoria, notarás una serie de logos y números en la parte frontal. Estos no son simplemente decorativos; en realidad, proporcionan información importante sobre las especificaciones y capacidades de la tarjeta. 

Todos los fabricantes ofrecen estos datos en todas sus tarjetas de memoria, no importa el tipo que sea, ya sea una tarjeta SD, SDHC, SDXC, SDUC, microSD, microSDHC, microSDXC o microSDUC, siempre verás estos logos. Pero, ¿cómo puedes interpretarlos?

Fabricante: Este logo muestra el nombre o el logo del fabricante de la tarjeta de memoria y suele aparecer en la parte inferior. Es importante tener en cuenta que la reputación del fabricante puede influir en la calidad y fiabilidad de la tarjeta.

1. Capacidad: Este número indica la cantidad de datos que la tarjeta puede almacenar. Por lo general, se muestra en gigabytes (GB) o terabytes (TB). De este modo, una tarjeta con una capacidad de 32 GB puede almacenar hasta treinta y dos mil millones de bytes de información. Hay modelos con 32 GB, 64 GB, 128 GB, 256 GB y más.
2. Velocidad de lectura y escritura: Estos números representan la velocidad máxima a la que la tarjeta puede transferir datos. La velocidad de lectura se refiere a la rapidez con la que se pueden leer los datos, mientras que la velocidad de escritura indica la velocidad a la que se pueden escribir datos en la tarjeta.
3. Velocidad de vídeo: Algunas tarjetas de memoria están diseñadas específicamente para la grabación de vídeo de alta calidad. Clase V6 soporta 720p, Clase V10 soporta 1080p, Clase V30 soporta 4K a 24 o 30 fps, Clase V60 soporta 4K a 60 o 120 fps y Clase V90 soporta vídeo en resolución 8K a 60 o 120 fps.
4. Velocidad de escritura mínima mantenida: Indica la velocidad mínima garantizada a la que la tarjeta puede escribir datos de manera constante. Es especialmente importante para tareas que requieren una escritura continua, como la grabación de vídeo de alta definición. Existe la Clase C2 de 2 MB/s, Clase C4 de 4 MB/s, Clase C6 de 6 MB/s y Clase C10 con una velocidad mínima de escritura de 10 MB/s.
5. Tipo de tarjeta: Este se refiere a la categoría de la tarjeta, como SC, HC, XC, entre otros, que es otra forma de representar su capacidad. Por ejemplo, SC es un modelo que indica una capacidad de almacenamiento estándar de hasta 2 GB, HC de alta capacidad 32 GB como máximo y XC es la capacidad extendida de hasta 2 TB.
6. Estándar de velocidad de escritura: Este logo indica el estándar de velocidad de escritura al que se adhiere la tarjeta. Por ejemplo, las tarjetas con el logo UHS cumplen con el estándar de velocidad ultraalta, significa que ofrecen velocidades de transferencia más rápidas que las tarjetas estándar. La clase I, II y II suelen representarse como UHS-I, UHS-I II, SDHC I, SDHC II, SDX I y SDXC II. La clase I ofrece una velocidad de 104 MB/s, la clase II 312 MB/s y la clase III 624 MB/s.

Al comprender la información que aparece en las pegatinas y logos de tu tarjeta de memoria, podrás elegir el modelo adecuado para tus necesidades. Ya sea que la vayas a utilizar para guardar información importante en tu móvil, tu cámara digital, almacenar aplicaciones en tu ordenador o cualquier otro dispositivo.

Asegúrate de prestar atención a la capacidad, la velocidad de lectura y escritura, la velocidad de escritura mínima mantenida, así como la velocidad de vídeo y el estándar de velocidad de escritura para asegurarte de que la tarjeta te ofrece el rendimiento y la capacidad de almacenamiento que necesitas.

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Esos electrones atrapados en una ‘puerta flotante’ son los que permiten registrar esos valores, aunque corren el riesgo de desaparecer con el tiempo. 

De hecho, los datos almacenados en un UBS deberían permanecer unos 10 años, o incluso más, si las condiciones de conservación son las adecuadas.

Si se produjese la fuga de los electrones con el paso del tiempo, los datos se degradarían, resultando más difícil leer si el estado de carga representa uno o cero. 

De ahí que sea necesario supervisar constantemente su estado antes de guardar archivos importantes. Hay que tener en cuenta que no representan una memoria robusta, por lo que no se recomiendan para guardar archivos de manera permanente.

Factores que influyen en la vida útil de una unidad USB

Sin lugar a dudas, la calidad de la memoria flash NAND determinará, al igual que el acabado general del dispositivo, la vida útil de los datos de una unidad USB. 

La calidad irá en relación con el precio, por lo que los modelos más baratos suelen representar una vida útil más corta. Aquellas marcas que apuesten por mejores piezas y que refuercen sus memorias con protección adicional garantizarán, a su vez, una durabilidad mayor.

De igual modo, la temperatura a la que es sometida la memoria flash USB es muy importante. A más temperatura peor calidad y nivel de conservación para el dispositivo. De ahí que se recomiende no exponerlas al sol de manera directa o llevarlas en espacios demasiado cálidos al viajar. 

Basándonos en esto, habrá que tener en cuenta el estándar JEDEC JESD47 con el que cumplen las memorias USB. Se destaca que su durabilidad sería de 10 horas a una temperatura de 125 °C y de 10 años en el caso de que fuese de 55 °C.

De este modo, a temperaturas más elevadas los datos se perderían más rápidamente, ya que los electrones se fugarían antes del dispositivo. La humedad o el polvo son otros hándicaps, pues todo suma en la conservación de dichos dispositivos.

Otro factor a tener en cuenta es el número de ciclos de escritura. La esperanza de vida de una memoria USB se puede medir por el número de ciclos de escritura o borrado, pudiendo soportar entre 10.000 y 100.000 ciclos de escritura/borrado, dependiendo de la tecnología de memoria empleada.

Asimismo, la durabilidad de una memoria USB se podrá ver mermada dependiendo del estrés al que se someta el pendrive. A medida que se van copiando, borrando y operando con las unidades flash, la durabilidad del dispositivo se reduce, de tal modo que es posible perder los datos.

Cómo conseguir que una memoria USB dure más

Aunque parece una obviedad, queda demostrado que una memoria USB no es el espacio de almacenamiento ideal a largo plazo, por lo que se recomienda realizar copias de seguridad periódicas en otros medios de almacenamiento, como un disco externo.

Dicho esto, al realizar una copia de seguridad durante un elevado periodo de tiempo, se debería apostar por cintas de archivos o medios ópticos, ya que las unidades flash están pensadas para transferencias ágiles de archivos o para crear dispositivos de arranque.

De igual modo, se recomienda pasar el antivirus cada cierto tiempo. Al escanear las memorias USB con frecuencia se logrará eliminar el malware que vienen adheridos al descargar determinados archivos o al conectar el USB a dispositivos públicos y desprotegidos para guardar documentos que podrían estar infectados.

Una práctica fundamental es quitar el hardware de forma segura, lo que garantizará una mayor calidad para el contenido y para el dispositivo. 

Tampoco se recomienda editar archivos dentro del USB, siendo lo ideal realizar los cambios desde el disco duro para posteriormente enviar el archivo al dispositivo de memoria. Si se cumplen estas premisas se garantizará que la esperanza de vida media será de, al menos, 10 años.

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Para que te hagas una idea, esta tecnología podría ser capaz de reducir drásticamente el consumo energético de portátiles, smartphones y tablets, así como elevar a nuevas velocidades nunca vistas las memorias más rápidas de la actualidad. 

La UltraRAM está pensada para romper la división entre la RAM y el almacenamiento. Así que, en teoría, se podría utilizar como solución única para cubrir estas necesidades actualmente separadas.

En ordenador actual, eso significaría que con un módulo de UltraRAM de 2TB de almacenamiento tendríamos tanto memoria interna como memoria de acceso aleatorio. Algo que hasta ahora es solo un sueño.

Suena francamente prometedor y el equipo detrás de UltraRAM tiene bastantes cosas hechas. 

Para ser exactos, la compañía ha conseguido un importante respaldo financiero para introducir su componente en el mercado, tal y como apuntan en TechRadar. 

En agosto de este año, durante la Cumbre de la Memoria Flash, Quinas Technology ganó el premio a la startup de memoria flash más innovadora. Ahora, ha recibido el respaldo de la agencia gubernamental británica Innovate UK, que forma parte de UK Research and Innovation (UKRI), a través de su programa ICURe Exploit.

La subvención se ha concedido porque Quinas ha demostrado viabilidad comercial y ciencia puntera a lo largo de un programa de 6 meses.

Con esta financiación, el equipo detrás de UltraRAM probará esta tecnología a escala nanométrica para demostrar las afirmaciones clave que han hecho en torno a ella, además de cooperar con los inversores para avanzar hacia la producción. 

Unas afirmaciones realmente interesantes, por cierto. 

Quinas asegura que la estructura y composición de su tecnología permite almacenar datos durante más de 1.000 años sin degradación. Además, afirman que tiene una durabilidad increíblemente alta: 10 millones de ciclos de escritura/borrado.

Según la compañía, también consume mucha menos energía que los tipos tradicionales de memoria, al tiempo que alcanza velocidades mucho mayores.

La empresa actualmente se está planteando en invertir en mejores equipos de pruebas que le ayuden a escalar y perfeccionar su tecnología. También colaborará con la empresa india Roorkee para modelar el rendimiento de UltraRAM en distintos contextos.

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En concreto informan que la fábrica Pyeongtaek de Samsung para la fabricación de memorias NAND, sufrió un breve apagón casi una hora que ha puesto patas arriba la producción estimada afectando a tramos de componentes electrónicos como las mencionadas memorias. No obstante, se señala que las pérdidas habrían ascendido a 60.000 obleas de chip dañados durante el apagón, destinadas a la producción de memorias NAND.

Se reporta que todas estas obleas dañadas representan un 11% de toda la producción de Samsung para el mes de marzo, ya de por sí producción vendida a clientes externos que dejarán de contar en sus fábricas o superficies con una gran cantidad de unidades.

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Con esto se ha perdido un 3,5% de producción de estos chips de memoria, afectando de esta manera al mercado global.  En el peor de los casos se puede esperar una subida del precio de los SSDs para los próximos días, y de otros dispositivos que hagan uso de NAND como las memorias flash.

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A finales del año pasado se especuló con que este año supondría una reducción en el precio de las memorias RAM y SSD, pero con este inesperado acontecimiento parece improbable que se acabe dando esta situación.

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[Fuente: anandtech]

Hay dos modos de conectar un dispositivo USB a un ordenador, dos protocolos. Son el MSC y MTP. Ambos funcionan pero puede que no hayas instalado los drivers necesarios para ello en tu PC.

• MTP: Media Transfer Protocol
• MSC: Mass Storage Class

La principal diferencia es que mientras que Windows admite ambos estándares, macOS sólo admite el MSC. Eso puede provocar algún problema a la hora de leer un pendrive, aunque no es nada insalvable. Si tu ordenador no reconoce el pendrive, no tienes que entrar en pánico.

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Tanto si estás utilizando MTP como si usas MSC, en caso de problemas es recomendable probar a cambiar de formato o instalar sus correspondientes drivers. Esta es la forma de arreglar una memoria USB rota si este es el problema:

• Haz click derecho sobre el icono de Mi PC > Propiedades
• Ve a la pestaña de Hardware
• Abre el administrador de dispositivos y busca el nombre del tuyo
• Click derecho > Actualizar controlador
• Selecciona Instalar desde una lista o ubicación específica (Avanzado)
• En la siguiente ventana elige No Buscar
• Selecciona el modo MSC o MTP

Dale el formato correcto para almacenamiento

Un problema común a la hora de utilizar una memoria USB es cometer el error de darle el formato equivocado. A la hora de formatear un pendrive o un disco duro, no todos los formatos sirven: hay NTFS, FAT 32 (o simplemente FAT), EX FAT y varios más.

De tu interés sólo son dos: MTFS, el que debes darle si quieres instalar Windows en dicho dispositivos y FAT32 o FAT, los que te interesan si lo que quieres es almacenar archivos.

Puede darse el caso de que hayas formateado el dispositivo USB en MTFS y que tu PC no lo reconozca como dispositivo de almacenamiento. En tal caso, la memoria USB rota no está rota, sino que debes volver a formatearlo de la forma correcta:

• Abre Mi PC
• Haz click derecho sobre el dispositivo USB
• Ve a Formatear
• Selecciona el formato FAT y dale a Iniciar
• Espera a que se complete el proceso

El impacto sobre el rendimiento de móviles y otro tipo de dispositivos puede ser muy importante, ya que hará más ágil el mover archivos y también el funcionamiento del propio sistema operativo, lastrado a veces por la lentitud y las limitaciones a la hora de leer datos almacenados en la ROM.

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A la hora de valorar la velocidad y el rendimiento de un móvil, no tiene tiene que ver con el procesador o la RAM. Evidentemente poder ejecutar más procesos a la vez y más pesados hará que un teléfono funcione más rápido, pero podes reescribir y leer los datos también tiene mucho que ver. Elformato de memoria UFS 3.0promete hasta 2,4 Gbps de transferencia en móviles.

Además de dotar de más velocidad al funcionamiento de la memoria, UFS 3.0 lo hará consumiendo menos energía. Esto está muy bien para optimizar al máximo la autonomía de batería de móviles, cámaras de fotos y tablets utilizando el doble canal para escribir y leer información de la memoria de forma simultánea.

Este nuevo estándar también afecta a UFSHCI, aunque poco a poco irá extendiéndose, sobre todo a medida que dispositivos incompatibles con las nuevas características de UFS 3.0 vayan quedándose obsoletos para ser sustutidos por otros más modernos, algo que inevitablemente ocurrirá con el tiempo.

[Fuente: JEDEC vía GSMArena]

Las limitaciones con las que cuentan estos dispositivos en comparación con otras unidades de almacenamiento de datos digitales se encuentra en su capacidad, bastante más limitada que la de los discos duros externos, por ejemplo. Ahora, con VastStick este problema queda resuelto: se trata de la memoria USB con mayor capacidad del mundo con espacio para almacenar 4 TB, sitio más que de sobra para hacer un backup del disco duro de tu ordenador.

Para conseguir esta increíble capacidad, el pendrive VastStick es ampliable y combina el espacio de hasta 16 tarjetas microSD en un solo dispositivo. El fabricante ha bautizado este formato como Solid State Flash Array Drive (SSFAD), que tiene la capacidad de almacenar desde 64 GB a 4 TB dependiendo del número de tarjetas microSD conectadas. 

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Este dispositivo de almacenamiento USB contará próximamente con una velocidad de transferencia superior a los 10 Gb/s, y además destaca por poder reducir los niveles de potencia y calor más de un 90%. Está equipada con hardware raid-within-raid (RAID) para soportar los fallos y evitar las pérdidas de datos, y se estima que su vida útil es de más de 20 años de uso normal. 

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Si quieres comprar la memoria USB más grande del mundo, Arrow Electronics, la compañía detrás de VastStick, ha lanzado una campaña de crowdfunding para hacer realidad su invento. Puedes hacerte con ella a través de la página de Indiegogo a un precio desde 129 dólares. Si todo va según lo previsto por la compañía, la entrega de los pedidos se efectuará a partir del próximo mes de noviembre. 

Una de ellas, por ejemplo, es el crecimiento del precio de los discos duros SSD, que hace que a su vez se encarezcan los ordenadores portátiles. Tal es la situación que a los gigantes tecnológicos Apple, Amazon y Google les ha faltado tiempo para pujar por la parte de Toshiba dedicada a la fabricación de las memorias flash NAND, ya que disponer de su propia fábrica de este componente les permitiría tanto evitar la escasez como ahorrar cientos de millones en la producción de sus dispositivos.

Ahora, los púgiles y el escenario cambian, pero la batalla es la misma. En este caso son Apple y Nintendo quienes se enfrentan por conseguir las preciadas memorias flash NAND. Y es que, debido al gran éxito de ventas que ha tenido la Nintendo Switch desde su lanzamiento, la gran N ha incrementado la producción de su nueva consola para dar respuesta a la enorme demanda, y tiene el objetivo de alcanzar los 18 millones de unidades para marzo de 2018. 

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En declaraciones a The Wall Street Journal, un portavoz de Toshiba, que suministra algunas de estas piezas para la Switch, señala que "la demanda de nuestra memoria flash NAND ha sido abrumadoramente mayor que la oferta, y es probable que la situación se mantenga el resto del año". Por tanto, queda abierta la posibilidad de que no puedan suministrar a Nintendo tantos componentes como necesita.

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Por su parte, Apple es una de las compañías que más invierte en el codiciado componente, puesto que es una pieza imprescindible para fabricar el iPhone 7. Los analistas coinciden en señalar que, en una guerra por las memorias flash NAND, Nintendo tiene las de perder con Apple y con cualquier otro fabricante de smartphones, ya que los pedidos de estas empresas tienen un volumen mucho mayor. Tendremos que esperar para ver cómo evolucionan las cosas. 

[Fuente: Nintendo Life]

Su iniciativa se llama Flash Drives for Freedom y tiene el objetivo de inundar en el país asiático con tantas unidades de memoria USB como sea posible que contengan archivos de música, películas, programa de televisión o una copia de la Wikipedia, entre otros contenidos de estas características. El objetivo no es otro que el de ofrecer a la población acceso a la información del mundo libre y eludir la censura de Kim Jong-un.

Para poder llevar a cabo esta tarea, en Flash Drives for Freedom aceptan donaciones de pendrives que se pueden hacer llegar a través de correo postal. Después, llevan a cabo la carga de los archivos y se encargan de su distribución en el país mediante técnicas de contrabando. Para hacerlos entrar en Corea del Norte utilizan todo tipo de medios, desde sobornos a los guardias de la frontera hasta mandarlas en globos aerostáticos o drones.  

Corea del Norte vende una tablet que registra todo lo que haces

Una vez que han llegado, los contenidos se suelen copiar y vender de manera clandestina, y su visionado se lleva a cabo habitualmente en los reproductores multimedia portátiles chinos. De acuerdo con los estudios, existe una gran demanda de estos contenidos en Corea del Norte: una encuesta reciente reveló que el 90% de los habitantes consumen medios de comunicación extranjeros al menos una vez al mes, y además señalan que tienen más impacto en sus vidas que las decisiones de su gobierno.

China está trabajando en su propia versión de la Wikipedia

La campaña Flash Drives for Freedom arrancó a principios de 2016 y, aunque muchos de los paquetes que envían con memorias USB con interceptados por el gobierno, otros muchos llegan a la población. El año pasado se entregaron 10.000 unidades, y ahora van a iniciar una nueva oleada con 100.000 memorias USB.

Thor Halvorsen, presidente de la Human Rights Foundation, tiene un pálpito de que "el envío de un par de millones de paquetes de información más causaría un cambio paradigmático en el interior de Corea del Norte". 

[Fuente: FastCompany]

La firma de inversión privada Silver Lake Partners Learning and Finance, junto con el fabricante de chips Broadcom, han puesto sobre la mesa 17.900 millones de dólares para hacerse con toda la unidad de fabricación de chips de memoria flash de Toshiba. En condiciones normales semejante cantidad de dinero hubiese sido suficiente para cerrar el trato... Hasta que Apple, Amazon y Google, cada uno por su cuenta, han entrado en tromba en la puja. No se ha revelado la cantidad que han puesto sobre la mesa.

No son los únicos candidatos. Hasta diez grandes compañías se han interesado por las acciones de la unidad de chips de Toshiba. Desde rivales directos como Micron y Western Digital, a firmas de inversión que han atisbado la posibilidad de hacer dinero.

¿Por qué resulta tan apetecible la unidad de memorias Flash tipo NAND de Toshiba? Este tipo de memoria se utiliza para almacenar información en dispositivos portátiles o en discos duros SSD, entre otras muchas aplicaciones. Y Toshiba es uno de los fabricantes más prestigiosos.

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Si Apple, Amazon o Google dispusieran de su propia fábrica de memorias Flash tipo NAND podrían ahorrar cientos de millones en la fabricación de sus smartphones, tablets, y dispositivos del Internet de las Cosas, además de hacer negocio vendiendo memoria NAND para ordenadores, o para otras marcas, como hacía hasta ahora Toshiba.

Este tipo de componente es uno de los más solicitados, a medida que aumentan los requisitos de memoria y velocidad de acceso que exige el hardware moderno. Pese a tratarse de las compañías más ricas del mundo, Apple, Google y Amazon no lo tendrán fácil para comprar la unidad de memorias Flash tipo NAND de Toshiba, pues hay otros muchos candidatos con mucho dinero pujando por ella. ¿Quién ganará la subasta?

[Fuente: Reuters]

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De hecho, los avances que se realizan en investigación de la velocidad de los procesadores, o en aumentar la capacidad de almacenamiento máximo, surgen habitualmente a raíz de otros pequeños avances realizados en nuestro entendimiento de cómo funciona el mundo, para posteriormente ser aplicados en la industria.

Recientemente un grupo de científicos que trabajaba con la anisotropía magnética (la no homogeneidad de las propiedades magnéticas) ha logrado dar un gran avance descubriendo un increible aumento de la velocidad de las memorias de los equipos informáticos, de momento puramente teórico, pero potencialmente importante si se logra llevar a cabo.

Los investigadores, formados por expertos de Europa y Rusia, están investigando cómo la radiación de terahercios, también conocida como rayos T, podría potenciar las celdas de memoria de forma increible, acelerando su ciclo de reinicio y puesta a punto para ser utilizadas de nuevo hasta 1.000 veces más rápido que las actuales.

Según los científicos, el resultado teórico de usar estos rayos T en lugar de los campos magnéticos, que se utilizan hoy en día en nuestra tecnología, para el intercambio de memoria daría como resultado memorias increíblemente rápidas que potenciarían el rendimiento de los equipos informáticos.

La velocidad actual de las memorias supone una seria limitación respecto a la velocidad que están alcanzando los procesadores modernos, y un avance de este tipo sería muy beneficioso. De hecho, como os contábamos ayer, el consorcio Gen-Z formado por grandes fabricantes de la industria también es consciente de esta barrera, y pretender ponerle solución. 

[Fuente: Engadget]

Ahora, un nuevo consorcio formado por líderes de la industria tecnológica pretende desarrollar un nuevo método para gestionar cómo los datos se mueven en un sistema. Gen-Z está formada por diversas compañías del sector, como Dell EMC, IBM, ARM, Redhat, AMD, Samsung, Seagate, Western Digital, Micron, Lenovo y más.

El consorcio tiene el objetivo de crear una "interconexión" abierta, libre de derechos y patentes, y no propietaria (refiriéndose a cómo se mueven los datos entre los componentes). Esta nueva interconexión es necesaria debido a la entrada de las nuevas memorias de almacenamiento, y puede cerrar la brecha entre la rápida RAM basada en cache, y los dispositivos de almacenamiento basados en bloque que son más lentos, como los HDD o los SSD.

Gen-Z se encargará de llevar a cabo este cambio con el que esperan alcanzar un ancho de banda superior a 100 GB/s con una latencia inferior a los 100 ns, algo que actualmente debido a las limitaciones del hardware no es posible. Sin embargo, seguramente para ello necesiten más aliados, como Intel, que curiosamente por ahora no forma parte del consorcio.

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Actualmente cada componente de nuestros equipos informáticos se conectan utilizando tecnologías diferentes, por ejemplo las memorias RAM se relacionan con DDR, los discos duros con SATA o PCIe, y el consorcio Gen-Z quiere buscar, al más bajo nivel posible, una forma única de interconectar todos los componentes.

Para ello, trabajarán en los diseños de buses y protocolos para que los diferentes tipos de memoria, que cada vez son más rápidas, sean también más efectivas. De otro modo, da igual cuánto avancen estos componentes si la comunicación entre ellos supone una barrera que merma su efectividad.

[Fuente: Archivo PDF publicado por Gen-Z]

La policía de Australia ha informado esta misma semana que varios residentes del suburbio de Melbourne han estado encontrando pequeñas memorias USB en sus buzones. A partir de aquí, ya podemos imaginar qué hicieron muchos de los ciudadanos que recibieron este inesperado "regalo" en sus domicilios.

Claramente las personas más curiosas se han vuelto uno de los mejores destinatarios, y muchos de ellos han aprendido el coste de sus acciones, y que no es muy buena idea conectar no solo una memoria USB, sino cualquier aparato electrónico que no sepas de dónde ha salido, a cualquier de tus dispositivos.

Sin dar mucha más información, la policía describió el contenido de estas memorias USB como "extremadamente perjudicial", añadiendo que quienes tuvieron la genial idea de conectarlos a sus equipos empezaron a sufrir "graves problemas" de funcionamiento. Por ahora no se sabe quién está detrás de estos misteriosos envíos.

La policía usa perros para detectar memorias USB ocultas

Si bien es cierto que por ahora solo se ha informado de que esto haya ocurrido en Australia, es de esperar que cuando los atacantes empiecen a descubrir este nuevo método para infectar tus dispositivos, y vean la efectividad que está alcanzando, no se lo piensen dos veces y comiencen a usar la misma táctica.

De hecho, un estudio realizado este mismo año en Estados Unidos utilizó 297 memoria USB puestas de forma aleatoria alrededor de un campus universitario, y casi la mitad de las personas que las encontraron acabaron insertándolas en sus equipos, aunque por suerte para ellos en este caso eran inofensivas.

[Fuente: Victoria Police News]

Llamada GDDR6, lo que significa Graphics Double Data Rate (GDDR), es un tipo de memoria de acceso aleatorio (SDRAM) diseñada específicamente para procesadores gráficos. Por este motivo, solo es posible encontrar GDDR (no confundir con DDR) en las tarjetas gráficas de NVIDIA y AMD.

Según una de las diapositivas de la presentación del evento, GDDR6ofrecerá más de 14 Gb por segundo de ancho de banda, superando a la GDDR5X que Micron lanzó a principio de este año, y que nos ofrecía hasta 12 Gb por segundo. El ancho de banda, en resumen, es la velocidad entre la memoria integrada y el chip gráfico.

El objetivo de Samsung no es simplemente ofrecer más ancho de banda con estas memorias soldadas a las placas de las gráficas, sino también reducir su consumo de energía. La versión GDDR5 ya logró una mejora del 40-60% en cuanto a eficiencia energética comparado con GDDR4, y se esperaba un cambio similar para el 2018.

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El problema es que esto implicará simplemente una ligera mejoría en las próximas tarjetas gráficas, ya que a medida que los chips gráficos mejoran, las memorias integradas deben hacerlo al mismo ritmo. Esto, en la práctica, según AMD no es posible, y estas propias memorias impiden reducir el tamaño de la tarjetas por la cantidad necesaria de memorias.

A más chips de memoria se incluyen en un modelo de tarjeta gráfica concreto, más grande deberá ser esta y también acabará consumiendo más, aunque con cada nueva generación de GDDR la eficiencia energética se mejore. Esperamos que poco a poco vayamos obteniendo más información sobre GDDR6.

[Fuente: Videocardz]

Sin embargo, estos proyectos como el de una batería que carga en 15 minutos y dura una semana parecen haberse quedado atrás, sin haber salido del laboratorio en el que se descubrieron. Aun así, parece que no todo está perdido, pues Micron, un fabricante de memorias Flash, espera cambiarlo todo para el año 2020.

Para ello harían uso de la tecnología 3D NAND, la cual ya ha sido anunciada por Intel en sus primeros productos para el mercado este mismo año, permitiendo así la llegada de sus primeros SSD de hasta 10 TB. La diferencia respecto a lo comentado anteriormente, es que ahora estamos hablando de algo que ya puede ser implementado.

Para hacernos una idea, la tecnología 3D NAND permite a los fabricantes apilar las celdas de memoria de forma vertical en múltiples capas, consiguiendo una mayor densidad al mismo tiempo que se reduce el coste por bit. De hecho, Samsung ya la ha utilizado con sus Galaxy S7 y Note 7, además de en algunos SSD comerciales.

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Sus ventajas no solo se limitan al aumento de la capacidad, ya que también ofrece un mayor ancho de banda de lectura y escritura, tiempos de inicio y carga más rápidos... De momento Micron ha introducido hoy en el mercado su primer chip de memoria de 32 GB que hace uso de esta tecnología, orientado específicamente para el sector de gama alta y gama media de telefonía.

Ahora Micron tiene el objetivo de lograr desarrollar para el año 2020 un chip de memoria con la tecnología 3D NAND que ofrezca 1 TB de almacenamiento, con todas las ventajas que este avance conlleva, poniéndolos a la par de los PCs y portátiles. Además, al apilar las celdas de forma vertical se podría lograr liberar más espacio interno para introducir baterías más grandes en los dispositivos.

[Fuente: Micron]

Si eso es lo que estás buscando, Corsdrive es una alternativa de lo más atractiva. Se trata de una unidad de memoria flash USB 3.0, que además integra conector Lightning de Apple y microUSB. Gracias a esto, se puede conectar sin problema en PC, Mac, iPhone, iPad y terminales Android.

Está disponible con diferentes tamaños, que van desde los 32 a los 512 GB, aunque dado que cuenta una ranura para microSD este espacio se puede incrementar todavía más mediante una tarjeta externa. 

Además, tiene la ventaja de contar con un tamaño diminuto y ultra fino para que el usuario pueda transportar la unidad con total comodidad. Sus medidas son 13,25 mm de alto x 38 mm de alto x 6 mm de grosor.

Los desarrolladores de Corsdrive han confiado en el crowdfunding como sistema para encontrar la financiación necesaria para poner su producto en el mercado. Recaudaron con mucha rapidez los 2.000 dólares que se habían marcado como objetivo económico. Ya llevan casi 19.000, y teniendo en cuenta que aún queda un mes para participar todavía pueden conseguir mucho más. 

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Si te gustaría tener esta unidad de memoria flash USB 3.0 con conector Lightning de Apple y microUSB, compatible con todo tipo de dispositivos, puedes hacerte con él a través de la página de Indiegogo. La alternativa más económica es la de 32 GB de espacio que vale 49 dólares (42,5 euros al cambio actual), la de 64 GB vale 79 dólares (71,78 euros), la de 128 GB 89 dólares (80,87 euros), la de 256 GB 149 dólares (135 euros) y la de 512 GB  369 dólares (335 euros). 

En caso de que todo vaya según lo previsto por el fabricante, la entrega estimada de los pedidos comenzará en el próximo mes de septiembre.

Consejos y claves para comprar una tarjeta de memoria

El mensaje de "espacio insuficiente" se ha convertido en el pan de cada día para muchos usuarios del iPhone, especialmente para los que a la hora de comprar se decantan por la versión con menos capacidad de almacenamiento -normalmente 16 GB- que se llena con relativa facilidad, sobre todo si se realizan o reciben muchas fotografías, vídeos o canciones de música. 

Por esta razón el almacenamiento en la nube se ha convertido en una necesidad, iCloud mediante, pero no siempre resulta una solución definitiva. SanDisk, líder mundial en soluciones de almacenamiento flash, ha presentado este jueves en Madrid la nueva versión de iXpand, un dispositivo de almacenamiento móvil que ayuda a los usuarios a ampliar la memoria del iPhoneo iPad con hasta 128 GB de capacidad adicional.

La memoria flash iXpand de Sandisk cuenta con un conector Lightning flexible que se adapta fácilmente a cualquier iPhone o iPad sin obstruir otras entradas y, por otro lado, dispone de un conector USB 3.0 para copiar las fotos y vídeos del iPhone o iPad al ordenador. "Más del 70% de los usuarios transfiere archivos desde su iPhone a otra unidad de almacenamiento” sostiene Dinesh Bahal, vicepresidente de marketing de producto de SanDisk.

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La memoria iXpand para iPhone e iPad opera a través de su propia app con la que se puede copiar archivos de una forma sencilla pero, además, permite hacer copias de seguridad automáticamente de las fotos guardadas en el “Carrete” de la cámara y de los contactos.

Durante la presentación de la memoria flash realizada en Madrid, Christophe Rocca -director de marketing de la firma para el Sur de Europa- ha demostrado cómo se puede realizar  una copia de seguridad automáticamente del contenido subido a las redes sociales (por ejemplo, las imágenes publicadas en Instagram) del usuario a través de la también rediseñada app iXpand Drive, que ofrece nuevas características y una experiencia de usuario mejorada. 

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La aplicación también cuenta con una opción para capturar fotografías o vídeos directamente en la propia memoria flash, en lugar de almacenarla primero en la memoria interna del dispositivo, una solución para ampliar la memoria del iPhone especialmente en modelos como el iPhone 6S, 6S Plus o iPhone SE que permiten grabar vídeo en 4K con solo 16 GB de almacenamiento interno.

Por último, se puede utilizar la app de iXpand para reproducir música creando playlists que mezclen contenidos subidos a iTunes con archivos guardados en esta memoria flash de SanDisk, compatible con con iPhone 6s, iPhone 6s Plus, iPhone 6, iPhone 6 Plus, iPhone 5s, iPhone 5c, iPhone 5, iPad Pro (12.9 pulgadas), iPad Air 2, iPad Air, iPad mini 4, iPad mini 3, iPad mini 2, iPad mini y iPod touch (5ª generación) que operan con iOS 8.2 o superior. 

Así es la nueva memoria flash Sandisk USB-C de 128 GB

La nueva generación de memorias flash iXpand que permite ampliar la memoria del iPhone ya está disponible en capacidades de 16GB, 32GB, 64GB y 128GB con un precio que oscila entre los 49,99 y los 149,99 euros. 

La densidad es la clave de la memoria PCM. Según IBM, en la última versión de este hardware pueden caber hasta 3 bits en cada celda, esto es un 50% más capacidad que la que exhibieron en sus prototipos del año 2011. Exprimir al máximo la densidad permite mejorar la capacidad de estos componentes, no obstante todavía es más costosa de fabricar que la DRAM.

Este tipo de memoria funciona manipulando una sustancia similar al vidrio por medio de cargas eléctricas. Al igual que las memorias flash NAND, son capaces de conservar los datos almacenados cuando el dispositivo está apagado. Pero las PCM son mucho más rápidas que las memorias flash: hasta 70 veces más según IBM. También son más duraderas, por lo menos resisten 10 millones deciclos de escritura en comparación con los 3.000 ciclos de media que resiste una memoria USB convencional.

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Las PCM ya forman parte de algunos pocos productos del mercado, pero en una escala relativamente pequeña. Según los analistas del sector, este hardware podría alcanzar un éxito mucho mayor porque hasta ahora el elevado precio de producción ha lastrado su expansión. ¿Cómo beneficiará esta tecnología a los consumidores? Por ejemplo, un smartphone cuyo sistema operativo esté almacenado en una memoria PCM de tres bits podría arrancar en tan solo unos segundos.

Por el momento, Intel y Micron están investigando un punto intermedio entre la memoria y el almacenamiento flash con 3D Xpoint. El futuro éxito de este hardware pasa por adaptar la arquitectura de estos componentes a la producción a gran escala, esto reducirá el coste de fabricación notablemente y, solo entonces, representará una seria alternativa a las DRAM.

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La compañía todavía no ha fijado un fecha para que las PCM de tres bits lleguen al mercado de masas en parte porque todavía tiene que encontrar un socio que les ayude en la fabricación. Según IMB, en dos o tres años podrían estar preparados para suministrar este hardware a gran escala.

[Fuente:pcworld]

La serie SG5 es el primer SSD SATA cliente de Toshiba en soportar 1,024GB de capacidad en un factor de forma M.2 y está diseñado para ordenadores portátiles comerciales y PCs de escritorio, actualizaciones para el consumidor y aplicaciones portátiles de gama alta.

Las unidades alcanzan un alto rendimiento y gran capacidad de almacenamiento, manteniendo un factor de forma pequeño y disminuye los costes para los consumidores. 

Disponible en factor de forma M.2 y 2,5 pulgadas, la serie SG5 cuenta con una conexión SATA que soporta velocidades de 6,0 Gbit / s y está disponible en capacidades de 128 GB, 256 GB, 512 GB y 1,024GB.

Utilizando la tecnología QSBC de código de corrección de error, patentada por Toshiba (Quadruple Swing-By Code), un código de corrección de errores de alta eficiencia (ECC), la serie SG5 está optimizada para proteger los datos de los clientes de la corrupción, mejorando la fiabilidad, y proporcionar una larga vida útil.

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"La serie SG5 da a nuestros clientes la flexibilidad de configuración del sistema con una selección de diferentes capacidades y factores de forma", comenta Martin Larsson, Vicepresidente de Toshiba Electronics Europe para la división de productos de almacenamiento.

"Aprovechamos nuestra experiencia NAND para presentar la tecnología puntera TLC NAND para optimizar el rendimiento de SSD en un pequeño factor de forma, mientras que da a nuestros clientes la posibilidad de reforzar la integridad de los datos con las características de protección de datos tales como QSBC de Toshiba y tecnologías de limpieza", añadió en un comunicado.

Las muestras de la serie SG5 de SSDs de Toshiba estarán disponibles en el primer trimestre de 2016.

Esta tarjeta de memoria está pensada para cámaras de acción, drones, smartphones de gama alta y réflex con funciones de grabación y reproducción UHD.

De esta forma se convierte en la última incorporación a la línea PRO Plus de la compañía coreana, cuyas primeras versiones, de 32 y 64 GB, se lanzaron en mayo.

La Samsung microSD PRO Plus de 128 GB incluye memoria flash MLC NAND de la más alta calidad y soporte UHS-I Speed Class 3 (U3) y de clase 10, lo que le permite ofrecer una velocidad de lectura de hasta 95 MB/s y 90 MB/s de escritura.

Según la compañía, esta tarjeta puede almacenar hasta 3 horas y 50 minutos de vídeos 4K, así como 16 horas y 20 minutos en Full HD. En el apartado de imagen, es capaz de contener más de 10.900 fotografías, una cifra nada despreciable. También es posible guardar hasta 30.670 canciones en MP3.

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Otra de las características de la microSD PRO Plus de 128 GB de Samsung es que está diseñada para ser compatible con cualquier dispositivo que tenga ranura para este tipo de tarjetas de memoria.

Además está equipada con las funciones Samsung 4-proof, que incluye resistencia al agua (IEC 60529, IPX7), a temperaturas extremas, a rayos X y a la fuerza magnética. Su garantía es de 10 años. 

[Fuente:Samsung]

Las exigencias del mercado son cada vez mayores, lo que implica la presión de las grandes empresas a estar a la altura de las necesidades.

Un buen ejemplo de ello es Intel, con su gama de productos Optane, que tal y como prometió, dará gran velocidad a la memoria de losdiscos SSD y que los usuarios dePC de escritorio podrán disfrutar a partir del próximo año 2016.

Poco después, además de los PC de sobremesa, empezarán a extenderse a otros dispositivos, incluyendo desde los ordenadores portátiles hasta por supuesto el ecosistema móvil.

Esta noticia viene de manos ni más ni menos que de Kirk Skaugen, vicepresidente senior de Intel, cuyas palabras fueron pronunciadas en el último consejo anual de inversores de esta empresa.

Optane es el nombre comercial de una nueva clase de memoria y almacenamiento basados en una tecnología revolucionaria denominada Intel 3D XPoint. Esta tecnología afirman ser mil veces más rápida y duradera que el almacenamiento en flash.

Intel en colaboración con la compañía Micron, lanzará también en 2016, SSD Optane, módulos DIMM y otros productos con memoria 3D XPoint para servidores basados en arquitectura Skylake, también disponibles a partir del año que viene.

Intel 3D XPoint, 1.000 veces más rápidos que SSDs: en 2016

Sin duda, los más beneficiados de esta nueva tecnología son los gamers. Los jugadores clásicos de PC podrán ver de una manera inmediata cómo Optane ofrece soluciones de memoria hasta 7 veces más rápidas que los actualesSSD.

Intel, por su parte afirma que “Optane es la tecnología de almacenamiento más importante desde que la memoria flash NAND se introdujo hace 25 años”.

La tecnología 3D XPoint se basa en células de memoria asentadas en una malla tridimensional, estructura que aseguran permitirá escribir y leer datos en un tamaño más pequeño y más rápido.

[Fuente: PCWorld | WCC]

La nueva arquitectura presenta algunas diferencias conceptuales basntante significativas respecto a los modelos anteriores. Para empezar se han simplificado, eliminando algunos componentes haciendo que sus funciones ahora las lleven a cabo los propios materiales. Se ha simplificado la estructura, a la vez que se ha hecho algo más complicada. Pero ya sabéis: más densidad implica menos tamaño, con lo que aparatos como el Intel Compute Stick podrían terminar de hacerse con el mercado.

La parte complicada la aportan las células de memoria dispuestas en un patron tridimensional muy intrincado, que es hasta 10 veces más denso que el que podíamos encontrar en las memorias tradicionales. 

"Durante décadas, la industria ha buscado formas para reducir el retraso entre el procesador y los datos, para permitir análisis mucho más rápidos", declaraba el VP de Intel Rob Cooke. "Este nuevo tipo de memoria consigue eso mismo, y trae cambios drásticos a la memoria y a las soluciones de almacenamiento". 

El gran competidos de Intel, Qualcomm, no se está quedando atrás en absoluto

El caso es que aunque los pros son grandes y brillantes, probablemente no sean lo único que haya. Por supuesto, aún es pronto para conocer los contras, pero está claro que los habrá. Probablemente por ello Intel de momento esté orientando estos chips a el análisis en tiempo real de datos, cuando podría comenzar desde el primer momento con algunas de las aplicaciones que les han pronosticado, como el gaming inmersivo (si llegase a nuestros PCs). 

Con un poco de suerte, esta nueva tenología no tardará demasiado en encontrar alguna aplicación que podamos probar, y os contaremos todo sobre los nuevos chips de Intel. 

La compañía los ha puesto a la venta en formatos de 64, 32 y 16 GB, todos con el mismo tamaño y las mismas funcionalidades. A pesar del punto extra de tener un puerto de más, lo cierto es que no necesita nada más que un puerto para funcionar. Nada de ponerse a comprobar compatibilidades, y por supuesto nada de instalar software de control o necesitar más apliaciones para gestionar los archivos. Todo puro, nativo y simple. 

Más pendrives prácticos: el Intel Compute Stick

Las memorias Flash duales son un gran invento, siempre y cuando se diriga a su público objetivo. Sí, os miramos a vosotros, gente que tiene que trabajar moviéndose con cierta facilidad entre dos plataformas. Los fanáticos del BYOD (Bring Your Own Device) se encontrarán con un gran aliado a la hora de gestionar con agilidad distintos tipos de documentos. 

Aquí puedes comprar tu memoria flash dual de 64 GB, 32 GB o 16 GB

Para el teletrabajo también es bastante práctico, y nos ahorrará desperdiciar megas y tiempo en Tethering. En lugar de eso podremos utilizaar nuestro smartphone como centro logístico de subida y bajada de documentos, y nuestro PC o Mac de siempre como plataforma de edición. Más sencillo, imposible. 

Además tampoco está de más que el USB que se conecta a nuestro ordenador sea 3.0, con lo que tendremos velocidades bastante más prácticas de hasta 130 MB/s. Y aunque el diseño de la memoria Flash USB lo hace complicado, seguro que habrá quien trate de hacerlo: nada de conectar los dos dispositivos a la vez, para usarlo como cable de carga o de conexión. Es un pendrive, y debe usarse como tal. 

Hablamos de la nueva memoria NanoRAM o NRAM, desarrollada por Nantero. En nota de prensa anuncia que ya está en fase de producción en siete fábricas diferentes, y ha licenciado la tecnología a los principales fabricantes de memoria.

¿En qué consiste lamemoria NRAM?

Estamos ante otra de las muchas derivaciones que ha provocado el descubrimiento del grafeno. Lamemoria NRAM o NanoRAM utiliza nanotubos de carbono:

Literalmente, tubos formados por átomos de carbono que no sólo tienen un diámetro 50.000 veces más pequeño que un cabello humano, sino que además son 50 veces más duros que el acero, tienen la mitad de la densidad del aluminio, y poseen una mejor conductividad termal y eléctrica que cualquier otro material conocido.

En este vídeo puedes ver en qué consisten los nanotubos de carbono, y cómo se aplican en la fabricación de memorias:

La memoria NRAM está formada por una capa de nanotubos de carbono depositados en una capa de sustrato de silicio estándar con transistores o diodos. En función de que los nanotubos estén o no conectados gracias a un electrodo, se almacena un 1 o un 0:

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La memoria NRAM basada en nanotubos de carbono presenta una serie de ventajas asombrosas, con respecto a la memoria flash actual:

• Mayor velocidad de lectura y escritura: similar a la memoria DRAM, pero 100 veces más rápida que la memoria NAND Flash
• Alta fiabilidad: es capaz de almacenar datos durante 1000 años a temperaturas de 85 grados Celsius, y durante 10 años a 300 grados Celsius
• Bajo consumo: en modo reposo tiene un consumo de energía cercano a cero. Para almacenar un bit consume 160 veces menos que la memoria NAND
• Compatible CMOS: su tecnología permite la obtención de memorias NRAM en las actuales fábricas CMOS, sin necesidad de nueva equipación o adaptación
• Escalable: en el futuro podrá fabricarse con tecnología inferior a los 5 nm (nanómetros). Actualmente los chips más avanzados utilizan tecnología de entre 14 y 20 nm
• Elevada duración: en las pruebas ha resistido más ciclos de escritura que la actual memoria Flash
• Bajo coste: resulta barata y fácil de fabricar. Acepta múltiples capas en 3D y MLC

Su escalabilidad y el pequeño tamaño de los nanotubos permitirá diseñar chips con varios Terabits de capacidad.

La memoria de nanotubos de carbono NRAM puede usarse como memoria de almacenamiento convencional DRAM y Flash, pero su alta velocidad y capacidad permite idear nuevos dispositivos en los que Nantero ya está trabajando, como pantallas virtuales, tablets enrrollables, portátiles de arranque instantáneo, o smartphones con vídeo en 3D.

Como hemos dicho, no se trata de una tecnología teórica o en pruebas. Ya está en fase de producción en siete fábricas diferentes, y Nantero ha licenciado su memoria de nanotubos de carbono a los principales fabricantes.

Muy pronto tendremos la posibilidad de oír hablar de la nueva memoria NRAM, e incluso utilizarla en nuestros dispositivos.

[Fuente: Nantero]

Pero la resolución de las cámaras de fotos y vídeo y la pantalla de los smartphones es cada vez mayor. Las fotos, los vídeos y las apps ocupan cada vez más, y los usuarios tendemos a acumularlos. Al final da igual que tengas una memoria interna o una tarjeta microSD de 16, 32, o 64 GB, siempre acaban llenas.

Los fabricantes lo saben, y por eso hay una carrera desenfrenada por ofrecer tarjetas microSD con mayor capacidad. Hace apenas tres meses mostrábamos la tarjeta microSD más grande del mundo, la SanDisk microSD SXC UHS-I de 200 GB. Microdia sólo ha necesitado 90 días para casi triplicar el anterior récord. Ha anunciado el lanzamiento de la tarjeta Microdia Xtra Elite microSDXC UHS-II de 512 GB.

Medio Terabyte en el tamaño de un botón. Eso sí, el nombre está bien elegido: es una tarjeta microSD sólo para usuarios elite, pues costará 1000 dólares, unos 886€. Mucho más que casi cualquier smartphone de gama alta en donde la vayamos a utilizar. ¿Por qué tiene un precio tan elevado?

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La tarjeta Microdia Xtra Elite microSD de 512 GB no sólo destaca por su increible espacio de almacenamiento. Utiliza el nuevo estándar SD 4.0 UHS II que alcanza velocidades de lectura de hasta 300 MB/sg. Para ello añade una fila adicional de pins. Esto requiere un nuevo tipo de lector de tarjetas que pueda leer esos pines adicionales. Por suerte es retrocompatible con los estándares anteriores. Si usas un lector estándar los pines adicionales no se usan y la velocidad de lectura cae a 150 MB/sg, que por otro lado tampoco está nada mal.

La tarjeta Microdia Xtra Elite microSD de 512 GB es un prodigio de la tecnología, al almacenar tanta cantidad de Gigas en tan poco espacio, con una velocidad de lectura excelente. Pero su precio, sobre los 1000 dólares, está fuera del alcance de la mayoría. Así que habrá que esperar a que baje unos cuantos cientos de dólares...

Saldrá a la venta el mes que viene.

[Fuente: GSM Arena]

El problema del almacenamiento en los smartphones es casi tan engorroso como el de la batería. Si te quedas sin espacio en un momento en el que estás fuera de casa ,no podrás descargar toda esa información en ningún lugar y por lo tanto tendrás que desprenderte de unos cuantos recuerdos.

Esto tiene fácil solución (más que la de la batería, si cabe). Simplemente con una memoria externa estaría solucionado.

Leef iBRIDGE propone una buena alternativa para conseguir mayor capacidad en tu iPhone o iPad, ya que es la primera memoria flash de 256 GB externa del mercado con la que podrás ampliar la capacidad de tu dispositivo

Con Leef iBRIDGE dispondrás de más espacio de almacenamiento sin tener que borrar tus fotos, vídeos o música. Si bien, hay muchas soluciones de memoria externa disponible para los usuarios de smartphones o tablets Android, los entusiastas de Apple no cuentan con tantas opciones.

Leef iBRIDGE se conecta directamente en iPhone o iPad a través del conector Lightning y, además de almacenar toda la información que no quepa dentro de tu dispositivo Apple, también tiene algunas funciones más que son muy interesantes.

Con esta memoria flash para dispositivos Apple podrás realizar una copia de seguridad automática del carrete de fotos y guardar el contenido de tu móvil de forma sencilla y rápida.

También podrás crear librerías de películas o almacenar música que incluso podrás reproducir desde Leef iBRIDGE. 

Además, con esta memoria extra para iPhone, iPad y iPod podrás compartir fotos, vídeos y otros contenidos con amigos desde la propia memoria.

Leef iBRIDGEestá disponible en tamaños que van desde los 16 GB a los 256 GB, tiene un diseño en forma de 'J' que se adapta en la parte posterior del dispositivo. Para conectarla al móvil tampoco tendrás problemas ya que incluso podrás hacerlo con las carcasas de protección.

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Además, Leef iBRIDGE cuenta con un conector USB estándar en el otro extremo, permitiendo a los usuarios compartir sus contenidos de forma rápida en otras plataformas, como ordenadores Mac o Windows.

Y si los SSDs de 10 TB de capacidad están cada vez más cerca gracias a la tecnología 3D NAND que Intel y Micron presentaban, Toshiba tampoco ha querido quedarse fuera del nicho de mercado de los SSDs de gran capacidad. La compañía ha anunciado su gran desarrollo: la primera memoria flash 3D del mercado, que cuenta con 48 capas.

Las nuevas memorias en que trabaja Toshiba junto a Sandisk se apoyan en la tecnología BiCS, de la compañía, y permiten almacenar dos bits de datos en cada transistor, con lo que cada chip puede alcanzar una capacidad de almacenamiento de hasta 16 GB. Sin embargo, se desconoce la capacidad máxima que podrán llegar a alcanzar las unidades de estado sólido que utilicen esta tecnología de la compañía.

Los SSDs de 10 TB: muy cerca, gracias a 3D NAND de Intel

Lo verdaderamente importante, y que hace a Toshiba marcar la diferencia frente a sus competidores, reside en que usa memorias TLC (celdas de tripe nivel), que les permite llegar a las 48 capas, frente a las 32 capas que ofrece, por ejemplo, Samsung con su tecnología V-NAND o a las 32 capas que también ofrece Intel en sus memorias 3D NAND.

Las memorias 3D NAND se utilizarán para tarjetas de expansión de gran capacidad, que pueden superar los 3.5 TB, y también, especialmente, para fabricar SSDs de mayor capacidad.

La producción de los primeros productos de prueba que utilizan estas memorias ya se inició el jueves. Se espera que la producción masiva se inicie en el segundo trimestre de 2016.

[Fuente: ComputerWorld]

Debatimos sobre los procesadores de cuatro u ocho núcleos, pero pasamos de refilón sobre el milagro tecnológico que representan lastarjetasmicroSD.

Hace apenas unos años, los discos duros de nuestros ordenadores PC de sobremesa apenas podían almacenar 50 o 100 GB. Hoy, en el MWC 2015 de Barcelona, SanDisk ha presentado una tarjeta microSD de 200 GB. Del tamaño de una uña.

También ha sorprendido con el primer pendriveque incorpora el nuevoUSB Type C (¿quién le ha puesto este nefasto nombre?), que como seguramente sabes, es el primerUSB reversible.

La primera tarjeta microSD con 200 GB de Clase 10 no sólo es capaz de almacenar 20 horas de vídeo Full HD 1080p, sino que además transfiere datos a velocidad ultrarrápida. Nada menos que 90 MB/sg, lo que equivale a 1200 fotos por minuto. Además ha sido fabricada con protección contra el agua, temperatura, golpes, imanes, y Rayos X. Y tiene 10 años de garantía.

El calificativo de Clase 10 significa que puedes grabar vídeos o hacer fotos en alta resolución sin que se produzcan parones ni fallos en las imágenes.

Tutorial: cómo recuperar archivos perdidos en pendrives

En esta imagen puedes ver el primerpendrive con un USB Type C reversible. Efectivamente, puedes introducirlo en cualquier dirección. Aún son pocos los PCs y dispositivos que lo aceptan, por eso este nuevo pendrive de SanDisk es dual: por el otro lado tiene un USB 3.0.

Posee una capacidad de 32 GB y es compatible con cualquier ordenador equipado con Windows Vista o superior, sin necesidad de drivers. Tiene dos años de garantía.

SanDisk no ha facilitado precios ni fecha de lanzamiento.

El Oportunity, el robot de la gama Rover de la NASA, continúa incansable con su labor sobre las polvorientas rocas del Planeta Rojo. Pero ya son muchos años de actividad en condiciones extremas, y sus componentes se resienten.

Vía Gizmodo, descubrimos el último informe de status del Oportunity en la web de la NASA, y descubrimos que se ha reseteado 12 veces en el último mes.

Primer vuelo del platillo volante de la NASA, el LDSD, que llevará suministros a colonias de Marte

Es un grave contratiempo porque cada reseteo obliga a detener la exploración un día o dos.

Los científicos de la NASA han detectado que el problema se debe a lamemoria Flashde 256 MBque utiliza elRover, similar a la que puede encontrarse en cualquier smartphone, o en un pendrive.

Esta memoria Flash almacena mediciones, fotos, y otros datos recopilados en diferentes experimentos.

Con las continuas reescrituras de información durante estos 10 años, algunas celdas se han dañado. Esto hace que el ordenador del Oportunity se reseetee cuando escribe en ellas.

Así que han decidido formatearpor completola memoria Flash, para desactivar las celdas dañadas, evitando así que el Rover las utilice.

Una operación sencilla en cualquier ordenador, pero todo un hito teniendo en cuenta que deberá hacerse remotamente, a una distancia de 200 millones de kilómetros.

El proceso consiste en hacer un backup de todo el contenido que hay en la memoria Flash de 256 MB y descargarlo a la Tierra. A continuación se activa un modo de operación en el Rover que no usa la memoria Flash, y se formatea, anulando las celdas dañadas.

Se considera una operación de bajo riesgo, pues los controles críticos y el sistema de navegación se almacenan en otro lugar, en una memoria ROM.

El robot Oportunity forma parte de los diferentes experimentos que la NASA está llevando a cabo, con el objetivo de enviar los primeros humanos a Marte en la década que comienza en 2030.

Sin embargo, hasta ahora todos estos dispositivos contaban con un tamaño demasiado grande si lo comparamos con el Gokey, el llavero con cargador, cable, USB y localizador para móviles.

Este llavero reúne en un sólo dispositivo todos los accesorios que necesitan los smartphones actuales, añadiendo alguna que otra curiosa función.

El Gokey cuenta con una pequeña batería extra de 400 mAh, que según sus creadores afirman que son suficientes para dos horas extra de uso para casos de emergencia, También incluye un cable de sincronización con el PC, tanto para iPhone 5 y superiores (cable Lightning) como para terminales Android y Windows Phone (MicroUSB).

Aparte de estos útiles componentes, el Gokey se completa con una pequeña unidad de memoria flash de 8, 16 o 32 GB de capacidad.

Por si esto te pareciera poco, el equipo detrás de el llavero con cargador, cable y USB también incluye un localizador vía Bluetooth que también sirve para encontrar tanto el teléfono móvil sincronizado con el Gokey como las llaves donde se encuentre el llavero (el cual está pensado para ello, gracias a su diseño)

Otro útil accesorio para tu móvil: el Xiaomi Mikey, un botón para el conector de audio del smartphone

El precio del Gokey será de 59 dólares para su modelo más básico, el de 8 GB, y estará disponible con el conector Lightning de Apple o con un cable micro USB, y en color blanco o negro.

Como ya hemos dicho, el proyecto de Gokeyacaba de alcanzar la recaudación necesaria para comenzar la producción del llavero, por lo que se espera que su comercialización no tarde demasiado.

Los dataSTICKIES son pequeñas unidades de almacenamiento flash de distintas capacidades de almacenamiento en forma de tira autoadhesiva pensadas para sustituir en un futuro cercano a las actuales memorias USB. Con ellas se acabarían los problemas a la hora de insertar la unidad de almacenamiento en el puerto USB y tener que estar ‘tanteando a ciegas’ por la parte trasera del ordenador buscando las dichosas conexiones ¿te suena?

Con grafeno se podrían crear baterías que se cargan en sólo 5 minutos

Para interactuar con los dataSTICKIES los equipos deberán incluir una pequeña superficie óptica de transferencia de datos (ODTS) que utiliza como elemento conductor el pegamento reutilizable sensible a la presión –que no deja marcas–  de los dataSTICKIES. El panel conductor podrá ser añadido a todo tipo de dispositivos: ordenadores, smartphones, tablets, televisores etc. Cuando las dataSTICKIES estén intercambiando información sus bordes se iluminarán levemente.

Los dataSTICKIES estarían compuestos por dos capas protectoras flexibles –inferior y superior– que protegen una lámina de grafeno encargada de contener los datos. Serán  totalmente removibles, podrán adherirse a cualquier superficie y apilarse de la misma forma que los Post-it, e incluso, sería posible realizar pequeñas notas manuscritas en la capa superior.

Descubre qué es el grafeno y todas sus posibilidades

Los dataSTICKIES todavía son un concepto y sus desarrolladores no aportan datos críticos como la velocidad de lectura/escritura, fundamentales para la viabilidad de este invento que, al menos de momento, sólo es una muestra más de los muchos usos que puede tener el grafeno. Un material con unas propiedades increíbles que dará mucho que hablar en los próximos años.

Con Dropbox y similares, copias tus fotos o vídeos a tu carpeta sincronizada, y al instante se descargan en todos tus dispositivos.

Pero si te mueves en entornos en los que no hay Internet, o no te gusta guardar tus datos privados en servidores remotos, SanDisk te propone usar su nuevo pendrive SanDisk Ultra Dual USB.

Se trata de una memoria de 16, 32 o 64 GB cuya principal característica es que dispone de dos conectores diferentes, uno a cada extremo. Deslizando la carcasa accedes a uno u otro.

Por un lado, asoma un conectormicroUSB para comunicarse con los smartphones y las tablets:

Es compatible con todos los móviles que aceptan USB OTG. En la web oficial del producto puedes ver la lista de modelos compatibles.

Con la app suministrada, SanDisk Ultra Dual USB funciona como un pendrive, permitiéndote copiar cualquier archivo a la memoria USB.

A continuación, sólo tienes que deslizar la carcasa para convertirlo en una memoriaUSB 2.0estándar, que puedes conectar al PC para copiar ahí las fotos y vídeos de tu tablet o smartphone, o cualquier otro fichero:

Por supuesto, también funciona en dirección contraria.

Con la ventaja de que no tienes que usar cables ni adaptadores.

Aquí puedes verlo en funcionamiento:

Nuevo USB 3.1 reversible, y más pequeño

El único hándicap de la memoria SanDisk Ultra Dual USB  es que usa el estándar USB 2.0. A estas alturas, lo lógico hubiese sido optar por el más rápido y moderno USB 3.0.

La razón seguramente sea el ajuste del precio, para mantenerlo lo más bajo posible. La versión de 16 GB cuesta 19,99 $. La de 64 GB sube a 49,99 $. Ya se puede reservar en algunas tiendas españolas.

El SanDisk Connect Wireless Flash Drive es parte de una nueva línea de productos de almacenamiento con conectividad inalámbrica, bautizada SanDisk Connect. Se trata de dispositivos de almacenamiento de memoria flash inalámbrica que te permiten acceder a tus archivos guardados desde diferentes dispositivos móviles como iPad, iPhone, iPod touch, Kindle Fire y dispositivos Android.

Además de no tener que lidiar con cables, puertos de conexión limitados o disponibilidad de red, el lápiz de memoria inalámbrico permite hasta 8 dispositivos conectados y 3 reproducciones de media a la vez. 

Según SanDisk, la calidad de reproducción de vídeos no se ve afectada porque las limitaciones de streaming múltiple del dispositivo están establecidas de manera que sólo soporte reproducciones sin degradación. Específicamente, el flash drive te permite hasta 3 reproducciones de vídeos de alta definición (HD) simultáneas, desde dispositivos diferentes.

Otro detalle interesante es que no es necesario andar con la memoria encima, sino que podrás conectarte al pen drive hasta 45 metros de distancia y la batería ofrece hasta 4 horas continuas de streaming sin carga. SanDisk Connect estará disponible en dos capacidades: 32GB y 16GB.

La línea SanDisk Connect también incluye un dispositivo de almacenamiento parecido a un disco duro portátil, llamado SanDisk Connect Wireless Media Drive, con capacidad de hasta 64GB.

Los productos de la nueva línea estarán disponibles en los Estados Unidos en agosto, y en Alemania y Reino Unido a finales de año.