Investigadores de los Países Bajos han descubierto un nuevo tipo de memoria MRAM más rápida y con una mayor eficiencia energética que los ejemplos actuales.

Samsung va a comenzar la producción de sus nuevos chips de memoria DRAM HBM2 de 4 GB, especialmente recomendados para las tarjetas gráficas de nueva generación. 

G.Skill ha lanzado Ripjaws V, un increíble kit de memoria RAM DDR4 con una capacidad de 128 GB y una velocidad de 3.000 MHz que proporciona un alto rendimiento.

Intel y Micrón lanzarán en 2016 dispositivos 3D XPoint que ofrecen un rendimiento hasta 1.000 veces superior a la tecnología NAND y 10 veces mayor que la DRAM.

La compañía asiática podría presentar en el próximo CES de Las Vegas su último buque insignia, el Huawei P9, un sorprendente dispositivo con 6GB de RAM.

Samsung va producir en masa el primer módulo de memoria RAM DDR4 TSV de 128 GB de la industria, desarrollado para servidores empresariales y centros de datos. 

Si dispones de suficiente memoria RAM podrás utilizar parte de ella para crear un disco duro virtual que funcionará hasta 10 veces más rápido que tu disco duro. De ese modo, conseguirás mejorar el rendimiento de los programas que utilicen archivos ubicados en este espacio de almacenamiento.