Samsung comienza a enviar las las primeras muestras de su nueva memoria HBM4E de 12 capas con velocidades de hasta 16 Gbps
¡Adiós a los cuellos de botella! Samsung lanza su avanzada HBM4E de 12 capas para acelerar la infraestructura de inteligencia artificial y los centros de datos.
Parece que la carrera por aumentar las capacidades de la inteligencia artificial apenas está comenzando y es que se está llegando a un punto impresionante donde ya existen chips inspirados en el cerebro que reducen el consumo de la IA.
Aunque junto con Qualcomm ya está preparando los modelos de 2 nm ultrapotentes para 2027, Samsung ahora quiere dar otro paso en la industria que está llamando la atención y es ofrecer una memoria de alto ancho de banda (HBM) de alta capacidad.
Se trata de un componente tan potente que podría ser la clave para acelerar al ritmo de la IA con el fin de dejar atrás los cuellos de botella que frenan muchos proyectos en la actualidad.
Su nuevo anuncio no solo amplía la hoja de ruta, sino que también promete redefinir los límites de las arquitecturas. A continuación, tienes toda la información sobre esta innovadora tecnología de la empresa surcoreana.
Samsung impulsa la transición hacia HBM4E con mayor velocidad y capacidad
El crecimiento de los centros de datos y el desarrollo de los modelos de lenguaje grandes (LLM) es exponencial y parece que no va a parar, pues la demanda es tan alta que hasta hay una crisis de memoria RAM y SSD.
Sin embargo, la propuesta de Samsung podría ser la clave para solucionar los puntos en donde la IA más tiene problemas. Mejorar la eficiencia de esta tecnología para eliminar los obstáculos en la potencia es posible con su chip de memoria de alto ancho de banda (High Bandwidth Memory).
Específicamente, se trata del Samsung HBM4E, la sexta generación que destaca por contar con 12 capas y ser la evolución directa del HBM4. Según se anuncia oficialmente en la página, la empresa ya ha enviado las primeras muestras y afirma que es capaz de alcanzar una velocidad de pin estable de 14 Gbps.
"A medida que el suministro estable de HBM4 de Samsung continúa creciendo, se anticipa que el último HBM4E de la compañía que utiliza la misma combinación de matriz central y base entrará en producción en masa para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación".
Los datos apuntan a que supera más del 20% del rendimiento en comparación con la anterior versión, mientras que en eficiencia energética, 16 % y resistencia térmica, 14%.
El ancho de banda que brinda es de hasta 3,6 TB/s por pila, por lo que está enfocado a cargas de trabajo fuertes como apps de inteligencia artificial y computación avanzada.
La versión inicial de 12 capas ofrece 48 GB de capacidad, lo que supone un incremento superior al 30% respecto al HBM4. De hecho, Samsung planea extender el catálogo con variantes que van desde 32 GB (8 capas) hasta 64 GB (16 capas).
Esto, con el fin de que haya diversidad para las empresas que requieran distintas potencias en los proyectos. Por lo tanto, el avance no solo es en el rendimiento, sino en los tipos de productos, y eso es fundamental en la situación actual donde hay demasiada demanda.
Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable de desarrollo de memoria, subraya lo siguiente: “Tras la exitosa producción en masa de HBM4, Samsung ha demostrado una vez más su clara ventaja tecnológica con HBM4E”.
El objetivo de todo esto es, por supuesto, eliminar el "cuello de botella" de los procesadores actuales. Con esto, seguro que se logra que las GPU de IA alcancen volúmenes masivos de datos a altas velocidades y eso solucionaría muchas de las limitaciones que hay hoy en día.